Проведение структурных исследований методом Растровой Электронной Микроскопии

Подать заявку на исследование

Система с электронным и сфокусированным ионным пучком Quanta 200 3D

Система совмещает в себе сканирующий электронный микроскоп с термоэмиссионным катодом, сфокусированный ионный пучок, позволяющий прецизионно наносить и удалять материалы, а также системы энергодисперсионного микроанализа (EDS) и анализа структуры и текстуры кристаллических материалов (EBSD).
Системы Quanta позволяют работать с разнообразными типами образцов (в том числе непроводящими, загрязненными, влажными образцами и образцами способными к газовыделению при вакуумировании, порошками и суспензиями).

Прибор предназначен для топографического анализа поверхностей металлических и полупроводниковых материалов, пространственной характеризации материалов, энергодисперсионного анализа (EDS) и анализа структуры и текстуры кристаллических материалов методом дифракции отраженных электронов (EBSD).


Растровый электронный микроскоп Tescan MIRA 3 LMU:

Исследование структуры с помощью SE (морфологический контраст), BSE (фазовый контраст) и InBeam SE (морфологический контраст при предельных увеличениях) детекторов (интервал увеличений 30…200 000 крат) и определением химического состава в точке (1…2 мкм) или в режиме картирования методом энергодисперсионного микроанализа (EDS) приставкой Ultim Max с электронной записью изображения и результатов анализа;

- Исследование структуры с помощью SE, BSE и FSE (ориентационный контраст) детекторов, одновременным построением карт химического и фазового состава методами EDS и дифракции отраженных электронов (EBSD) приставкой Nordlys и электронной записью результатов.

- Обработка результатов в программе Channel5.


Требования к образцам:

К исследованиям принимаются образцы в виде порошков, гранул, объемных объектов (детали, шлифы, микросхемы, и прочее), однако размеры образца не должны быть более 150×100×25 мм.

Образцы должны быть чистыми и проводящими. Масло и пыль могут загрязнить камеру прибора, поэтому предварительно все загрязнения необходимо удалять .


Оборудование




Нормативная документация

СТО ТГУ 039-2017 Структура кристаллических материалов. Методика проведения исследований с помощью просвечивающей электронной микроскопии

СТО ТГУ 041-2017 Методика проведения исследований структуры поверхности твердого тела методом растровой электронной микроскопии

СТО ТГУ 042-2017 Структура кристаллических материалов. Методика проведения исследований с помощью растровой электронной микроскопии

Система акредитации

  • ГОСТ Р