Сканирующий электронный микроскоп SEM 515

Производитель: Philips (Нидерланды)
Год ввода в эксплуатацию: 1994
Метрологическое сопровождение: Проходит ежегодную поверку

Назначение

Топографический и качественный фазовый анализ поверхностей металлических и полупроводниковых материалов, а также полуколичественный элементный анализ. Типы изображения: вторичные и первичные (упругоотраженные) электроны, характеристическое рентгеновское излучение

Прибор оснащен 

  • микроанализатор EDAX ECON IV
  • система  Genesis XM 260 SEM (измерительное устрорйство типа Sapphire Si(Li) (10л) c SUTW 10mm
  • электронная система захвата Kit-XM2
  • электронная система управления лучом SG II
  • рабочая станция с компьютером Medium End
  • утилита для спектра и система прямого построения спектрального изображения 

Технические характеристики

  • диапазон ускоряющего напряжения и тока пучка - 3—30 кВ
  • разрешение - до 10 нм (при ускоряющем 30 кВ)
  • минимальное увеличение ∼ 20 крат
  • глубина резкости (соответствущая предельному разрешению человеческим глазом элементов конечного изображения (0,2 мм)) - порядка 0,5 от его линейных размеров
  • анализируемые элементы - начиная от Фтора
  • предел обнаружения - 0,2 вес.% (зависит от набора анализируемых элементов
  • предельная точность определения концентрации ∼ 5%
  • пространственное разрешения микроанализа - 1,0×1,0×5,0 мкм

Требование к объектам исследований 

  • возможность работы в вакууме 10-2 Topp
  • устойчивость к электронному пучку
  • чистота объекта (отсутствие на поверхности пыли, загрязнений органического происхождения 

Тип материалов

  • металлические и полупроводниковые (требование электропроводности)
  • Возможно проведение исследований диэлектрических материалов при слабых статических эффектах или предварительно напыленных проводящими покрытиями (углеродная, золотая, алюминиевая пленка)

Геометрические размеры

  • максимальные 20×20×20 мм с возможностью плоского крепления (приклеивания) на подложку 
  • толщина объекта в случае бокового зажима не более 7 мм
  • размер плоскости одновременного исследования (без нарушения вакуума) соответствует величине хода винтов объектного столика: 10×10 мм
  • максимальный наклон образца: 60°. Возможность неограниченного вращения вокруг вертикальной оси